2026-08-19 12:01:46
SK海力士此前在业界率先完成1cnm节点DRAM开发，三星电子试图在1dnm阶段重夺“技术领先”桂冠。另一方面，三星电子已定下为HBM5E内存导入1dnmDRAMDie的目标，提早完成底层技术构建可为后续HBM的推出打下坚实基础。与此同时，SK海力士的1dnmDRAM目前处于热测试良率提升阶段，预计2026年12月完成研发。不过，三星电子和SK海力士的1dnmDRAM技术目前仍处于较早期阶段，整体产品完成度离量产目标仍有很大的待优化空间。
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