2026-09-14 14:01:41
KeplerComputing宣称其可提供带宽接近SRAM、容量优于SRAM乃至HBM的内存方案，同时还无需EUV光刻设备。根据介绍，这一方案采用3D堆叠集成技术，应该属于FeRAM（铁电存储器），将于2026年底出样，2027年扩大产能。而在未来，该企业计划利用材料创新突破现有CMOS（互补金属氧化物半导体）的固有限制，通过更低电压改进芯片的能效表现并提升生产能力。KeplerComputing正利用格罗方德的新加坡28nm产能试产，未来也将在美国制造。企业宣称其改造既有晶圆厂用于创新内存生产的过程仅用时8个月，是一般情况下的1/3。
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